半導(dǎo)體激光器是幾能級(jí)？半導(dǎo)體激光器的優(yōu)點(diǎn) 快播

半導(dǎo)體激光器是幾能級(jí)?

3級(jí)。

半導(dǎo)體激光在1962年被成功激發(fā)，在1970年實(shí)現(xiàn)室溫下連續(xù)輸出，輸出連續(xù)激光大于500mW，是3級(jí)。

激光器能發(fā)射激光的裝置，1954年制成了第一臺(tái)微波量子放大器，獲得了高度相干的微波束，1958年肖洛和湯斯把微波量子放大器原理推廣應(yīng)用到光頻范圍，1960年梅曼制成了第一臺(tái)紅寶石激光器。

鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，叫做半導(dǎo)體。半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動(dòng)控制用的熱敏元件(熱敏電阻);利用它的光敏特性可制成自動(dòng)控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。半導(dǎo)體還有一個(gè)最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胛⒘侩s質(zhì)測(cè)其導(dǎo)電能力將會(huì)成百萬(wàn)倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管等。把一塊半導(dǎo)體的一邊制成P型區(qū)，另一邊制成N型區(qū)，則在交界處附近形成一個(gè)具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結(jié)。圖中上部分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用(用黑色箭頭表示)。中間部分為PN結(jié)的形成過程，示意載流子的擴(kuò)散作用大于漂移作用(用藍(lán)色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場(chǎng)的方向)。下邊部分為PN結(jié)的形成。表示擴(kuò)散作用和漂移作用的動(dòng)態(tài)平衡。

半導(dǎo)體激光器的優(yōu)點(diǎn)

半導(dǎo)體激光器由于其相對(duì)較小的尺寸和功耗，在通信和信息處理等領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。具有瞬態(tài)響應(yīng)好、開關(guān)速度快、壽命長(zhǎng)、很小的能耗和體積、制造工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。在醫(yī)療、現(xiàn)代制造業(yè)以及化學(xué)、物理學(xué)等領(lǐng)域也得到了廣泛的應(yīng)用。

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